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半导体材料砷化镓/锗拓扑相研究获重要突破

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正日前,中国科学院半导体研究所常凯研究组,提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相,通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。中国科学院半导体研究所常凯研究组继前

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来源
《功能材料信息》|2014年第1期|P.50-50|共1页
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正文语种 CHI
中图分类化合物半导体;
关键词
半导体材料; 极化电荷; 第一性原理计算; 砷化镓; 常凯; 器件应用; 晶格常数; 能隙; 工艺成熟; 介观;
入库时间 2023-07-25 13:31:37

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