制作亚50 nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

摘要

极紫外光刻技术(EUVL,λ=13.4 nm)是为小于70 nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术(NGL).在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生,为极紫外干涉光刻(EUV-IL)提供了瞬间空间相干光源.其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪.用EUV-IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究.验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作19 nm线/间(L/S)条纹图形,同时报告了采用EUV-IL技术开发亚50 nm密集线/间图形的进展,并开始向制作120 nm多晶硅栅图形过渡.