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机译:极紫外光刻技术在亚10纳米制程中热化距离与线边缘粗糙度之间的关系
EUV lithography; chemically amplified resist; line edge roughness; thermzliation distance; sub-10 nm;
机译:极紫外光刻技术在亚10纳米制程中热化距离与线边缘粗糙度之间的关系
机译:极紫外光刻中化学放大抗蚀剂线边缘粗糙度形成中感光距离与光子散粒噪声的关系
机译:基于分辨率,线边缘粗糙度和化学放大的极端紫外线抗蚀剂灵敏度之间的折衷关系,确定最佳热化距离
机译:使用机器学习分析极端紫外线光刻中分辨率,线条边缘粗糙度和灵敏度之间的权衡关系
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:用常规的紫外光刻和微细加工技术制备具有窄缝孔的多层聚合物微筛
机译:基于分辨率,线边缘粗糙度与化学扩增极紫外线抗蚀剂的折磨关系的最佳热化距离的确定