首页> 中国专利> 极紫外光20nm~40nm光谱发生器

极紫外光20nm~40nm光谱发生器

摘要

本发明提供一种极紫外光20nm~40nm光谱发生器。本发明紫外光20nm~40nm光谱发生器包括产生摄氏温度1.4万度至2.4万度高温的等离子体喷嘴2,等离子体导电极导气孔3,高纯石英玻璃壳12,聚光反射腔9等共25种零件构成(参见说明书摘要附图1)。本发明光谱发生器在工作时等离子体的温度在1.4万℃~2.4万℃之间,释放出较多能量的极紫外光20nm~40nm的光谱,可用于超大规模集成电路用于线宽≤20nm的光刻工艺,并能用于纳米级显微镜的光源。

著录项

  • 公开/公告号CN1558264A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都高新区食用生物制品研究所;

    申请/专利号CN200410021728.9

  • 发明设计人 何安成;王明清;

    申请日2004-02-02

  • 分类号G02B27/00;G03F7/20;G02B21/00;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610041 四川省成都市高新区创业路2号

  • 入库时间 2023-12-17 15:43:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-15

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-04-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-12-29

    公开

    公开

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