硅晶片表面污染物去除的关键工艺

摘要

硅晶片的清洗通常是在一个"过流(overflow)"清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1 cm/s,而在晶片表面的速度则为零.清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制.报告了清洗效率的提高,通过对初次将污染物扩散进停滞层的1min循环进行重复,然后"倾倒"清洗槽,从而去除大部分污染的停滞层.通过旋转晶片,并利用离心力去除更大部分的停滞层,每个清洗循环可将清洗效率再提高10倍[1].与目前的浸泡式清洗技术相比,本方法可以完全去除可溶性污染物,而使用的水量降低20倍.