基体对镁合金微弧氧化膜致密性的影响

摘要

采用致密化微弧氧化技术在Mg-Gd-Y,AZ 91D和ZM 6三种镁合金表面制备微弧氧化膜.通过电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜(SEM)等手段,比较了在三种镁合金表面制备的微弧氧化膜的致密性.三种镁合金微弧氧化膜的致密性依次为:Mg-Gd-Y＞AZ 91D＞ZM 6.可见,基体对微弧氧化膜具有重要的影响.该影响主要是由各合金上微弧氧化膜的PBR值(即氧化物与形成该氧化物所消耗的金属的体积比)不同所导致的,PBR值越高,微弧氧化膜越致密.