一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计

摘要

以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体(亦称宽禁带半导体)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高以及抗辐射能力强等优点。其中SiC功率器件及模块已经逐渐成为特高压柔性电网、5G移动通信基础设施、高速轨道交通、新能源汽车、航空航天装备、数据中心等“新基建”核心领域的“关键核芯”。我国“十四五”规划和2035年远景目标纲要明确指出:以SiC为代表的宽禁带半导体是事关国家安全和发展全局的基础核心领域,是需要集中优势资源攻关的领域关键核心技术。