多晶硅TFT热载流子效应的模拟研究

摘要

热载流子效应引起的器件电学特性退化会严重影响电路的工作性能.文章结合多晶硅薄膜晶体管沟道电流的理论模型,讨论了热载流子效应与界面陷阱的关系.沟道载流子在大的漏电场牵引下,运动到漏结附近获得很大的能量从而成为热载流子.如果热载流子能量超过Si-SiO2界面势垒高度,会注入到栅氧层或陷落到界面陷阱,使阈值电压和沟道电流发生退化现象.同时,对多晶硅薄膜晶体管输出特性进行了模拟分析,模拟结果与理论模型基本一致.