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江海波; 胡莉娟; 陶启林; 雷仁方;
中国电子科技集团公司第四十四研究所;
集成电路制造; 硅片; 背面减薄; 背照; 光电探测器;
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:聚碳硅烷中硅和氧共掺杂的石墨烯及其在石墨烯/ n型硅光电探测器中的应用
机译:使用微加工和纳米光刻技术制造的正面和背面照明的GaN / Si基金属-半导体-金属紫外光电探测器
机译:晶圆减薄后,模拟背面钝化层中的电荷对硅通孔(TSV)电容的影响
机译:硅通孔(TSV)技术的背面减薄和处理。
机译:近红外亚带隙全硅光电探测器:最新技术和观点
机译:探测器用硅光电倍增管在GlueX实验中的应用
机译:选择性电化学晶圆减薄在硅表征中的应用
机译:垂直集成的薄膜光电二极管,用于光电探测器,例如在光学数据存储和传输中,是通过对粘合到临时基板的光电二极管基板进行减薄和反射涂层来生产的
机译:制造带销的波纹状和带间隔的掺杂区的方法,在光电硅调制器和锗光电探测器的制造中的应用
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