制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术

摘要

本文介绍了制造硅光电探测器的锂扩散和漂移技术,这种探测器是为接受1.06μm波长的光而设计的,由于锂的特殊性质不能采取常规的扩散技术,而是在真空镀膜机中进行,漂移是在恒温箱中加一定电压来完成。经过漂移可使探测器的峰值响应波长移向1.06μm。本文也从理论上计算了漂移补偿区的厚度,与实验值基本符合。