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机译:薄的辐射入射窗的锂漂移硅芯辐射探测器的制造方法
公开/公告号DD289441A7
专利类型
公开/公告日1991-05-02
原文格式PDF
申请/专利权人 MATAUSCHEK KLAUS DE;SCHWERD KLAUS DE;
申请/专利号DD19790211864
发明设计人 MATAUSCHEK KLAUS DE;SCHWERD KLAUS DE;
申请日1979-03-30
分类号G01T1/24;
国家 DD
入库时间 2022-08-22 05:59:13
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