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GaAs第一性原理研究

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摘要

为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分渡态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面渡赝势方法.研究证明,其具有广泛的应用领域.

著录项

来源
《电子科技》 |2009年第4期|69-71|共3页
作者
陈启燊; 雷天民;
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作者单位

西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071;

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正文语种 chi
中图分类元素半导体;
关键词
GaAs; 密度泛函理论; 第一性原理;

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