首页> 中文期刊> 《电子科技》 >利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同A1组分的A1GaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好.通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa.

著录项

来源
《电子科技》 |2014年第1期|115-116120|共3页
作者
王振晓; 张锴; 李涛; 王丹丹; 韩孟序;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安710071;

西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安710071;

西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安710071;

西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安710071;

西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,陕西西安710071;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类元素半导体;
关键词
MOCVD; Si(111); GaN; 双晶X射线衍射;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. Growth of GaN/AlxGa1-xN (x=0.65) Superlattices on Si(111) Substrates Using RF-MBE [J] . Armando S Somintac Tomo Kikuchi Michiya Odawara Takashi Udagawa Motoi Wada Tadashi Ohachi . 稀土学报：英文版 . 2006,第z1期
2. Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长 [J] . 颜怀跃 ,郑有炓 ,修向前 . 功能材料 . 2011,第003期
3. Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长 [J] . 胡加辉 ,朱军山 ,冯玉春 . 发光学报 . 2005,第004期
4. (111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 [J] . 胡桂青 ,孔翔 ,王乙潜 . 电子显微学报 . 2002,第005期
5. Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系 [J] . 朱军山 ,徐岳生 ,郭宝平 . 半导体学报：英文版 . 2005,第8期
6. Si(111)衬底上GaN的GSMBE生长及组分渐变AlxGa1-xN缓冲层的作用 [C] . 林郭强 ,曾一平 ,王晓亮 . 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2006
7. 基于自支撑GaN衬底上垂直结构AlGaN/GaN CAVET MOCVD外延生长及器件性能研究 [A] . 孙世闯 . 2017

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号