深能级中心的电场增强载流子产生效应

摘要

本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应；指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流子产生率的影响；给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明，以往的只考虑库仑发射的模型过于简单，本文理论可以较满意的解释有关的实验结果。