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一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件

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摘要

一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统载流子增强型IGBT器件的P+空穴存储层内引入栅控下等效为可变电阻的JFET结构，以此减少关断时间、降低关断损耗，获得更优的E

1. 一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件 [P] . 中国专利： CN108493242A . 2018-09-04
2. 一种载流子存储增强型超结IGBT [P] . 中国专利： CN108389901A . 2018-08-10
3. Semiconductor device having a desaturation channel structure for desaturating a charge carrier concentration in an IGBT cell [P] . 美国专利： US10229990B2 . 2019-03-12

机译：具有用于使IGBT单元中的载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
4. Semiconductor Device Having a Desaturation Channel Structure for Desaturating a Charge Carrier Concentration in an IGBT Cell [P] . 美国专利： US2017162682A1 . 2017-06-08

机译：具有用于使IGBT单元中的电荷载流子浓度去饱和的去饱和沟道结构的半导体器件
5. Reduced hot carrier induced parasitic sidewall device activation in isolated buried channel devices by conductive buried channel depth optimization [P] . 美国专利： US6867472B2 . 2005-03-15

机译：通过导电掩埋沟道深度优化，减少了热载流子在隔离掩埋沟道器件中引起的寄生侧壁器件激活