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刘斯扬;
东南大学;
功率SOI-LIGBT器件; 功率集成电路; 热载流子效应; 寿命模型;
机译:一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT
机译:不同应力条件下SOI-LIGBT和SOI-LDMOS中热载流子退化行为的比较
机译:InGaZnO薄膜晶体管在正栅极应力和热载流子应力下器件退化的比较研究
机译:晶格和器件蒙特卡罗耦合模拟分析热载流子引起的多声子机理引起的退化
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:高温功率电子器件用碳化硅转换器和MEMS器件的评论
机译:采用双类型界面态模型的mOsFET器件新型热载流子退化机制
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化
机译:保护半导体器件免于退化的方法和制造抗热载流子的半导体器件的制造方法
机译:用于提高预测半导体器件中热载流子注入(HCI)退化的准确性的结构和方法
机译:半导体器件的热载流子退化仿真
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