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肖特基二极管; 结温; 正向压降; 反向漏电流; 功率密度; 设计人员; 亚微米; 器件;
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机译:结温高达175℃
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机译:新型1700V SPT + IGBT和二极管芯片组,工作结温为175°C
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
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机译:具有低结温的发光二极管和固态背光组件,包括具有低结温的发光二极管
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