在长浮动导体层上的小接触刻蚀过程中的新工艺过程损坏

机译：GaAs金属绝缘体半导体场效应晶体管，采用Al层作为抗蚀膜的新工艺形成的Ox氮化栅膜，用于选择性刻蚀，Ox氮化和剥离。

机译：SiO_2刻蚀过程中高纵横比接触孔中电荷积累和侧壁电导率的晶圆上监测

机译：c-Si上本征a-Si层的金属辅助刻蚀过程中的原位PL和SPV监控电荷载流子注入

机译：在长浮导体层上的小触点蚀刻过程中的新工艺损坏

机译：原子层沉积过程中III-V半导体上介电膜的形核和生长。

机译：揭示金属辅助化学刻蚀过程中多孔硅纳米线的形态演变和刻蚀动力学

机译：等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀（RIE）和等离子体灰化过程中通道层的影响。

机译：利用具有极好的刻蚀选择性的硬质膜形成半导体器件互连层的方法，以消除通过接触形成过程中层间介电层的损耗

机译：通过在半导体加工过程中提供化学形成的氧化层，在包括层堆叠在内的硅氮化物的构图过程中提高了刻蚀停止能力

机译：在半导体集成电路的制造过程中用钨蚀刻蚀刻到绝缘层中的接触孔的方法