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梁凯华;
长春理工大学理学院;
吉林 长春 130000;
电流密度; 刻蚀深度; 影响;
机译:刻蚀电流密度对光电化学刻蚀对大孔硅阵列形貌的影响
机译:在CH4 / H2反应离子刻蚀中通过InP的选择性刻蚀来制造两深度切趾光栅
机译:高电流密度硅金属辅助电化学刻蚀过程中镶嵌氧化硅结构的形成
机译:湿法刻蚀,离子轰击和电化学刻蚀后INP(100)晶片表面化学的Auer和LEED研究
机译:微波辅助离子液体刻蚀调节InP纳米晶体的尺寸和表面
机译:揭示金属辅助化学刻蚀过程中多孔硅纳米线的形态演变和刻蚀动力学
机译:紫外辅助电化学刻蚀电流密度对多孔四元AlInGaN合金结构和光学特性的影响
机译:惰性气体添加剂种类对Cl(2)化合物半导体高密度等离子体刻蚀的影响:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;应用表面科学
机译:刻蚀深度检测装置,刻蚀装置,刻蚀深度检测方法,刻蚀方法和制造半导体装置的方法
机译:在半导体器件的生产过程中通过各向异性刻蚀来制造适当的刻蚀深度的方法以及应用该方法制造的半导体器件
机译:在碳化硅(SiC)基质的光电化学刻蚀中使用的刻蚀剂,刻蚀装置和刻蚀方法
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