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一凡;
无;
AlN; 半导体薄膜; 热电体; 气相法生长;
机译:在AlN衬底上使用HVPE方法和深紫外LED的单晶AlN生长技术
机译:通过新型生长技术“热解输运法”制备的AlN单晶的表征
机译:宽间隙半导体晶体生长技术-迈向先进的环境与能源社会-氮化铝(AlN)单晶的合成
机译:纳米外延横向过度生长技术在多孔基板上生长的GaN和Aln层
机译:晶体超晶格((TiSe2)(l)(NbSe(2))(m))(n)的合成和表征:一种使用多层反应物的新型薄膜生长技术。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:复合半导体的外延生长技术 - 晶体生长技术的前缘(2)3。通过MOCVD方法生长高均匀的薄膜
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)
机译:用于沉积压电薄膜的ALN ALN方法,该方法是ALN的压电薄膜
机译:用AlN AlN沉积压电薄膜和AlN的方法
机译:使用氮化铝(AlN)/氢化氮化铝(AlN:H)/氮化铝(AlN)的三层薄膜制造表面声波滤波器的方法
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