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晓晔;
无;
半导体; MOVPE法; ZnS; 外延层; 光电器件;
机译:使用二甲基二硫化物前驱体低压MOVPE生长ZnS外延层
机译:通过MOVPE生长的GaAs衬底上Cd1-xZnxTe外延层中Zn组成(0
机译:MOVPE生长的ZnS外延层的内在缺陷
机译:MOVPE生长参数对GaAs上ZnS / sub x / Se / sub 1-x /(O> x> 1)外延层光致发光线宽的影响
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:使用波长色散X射线光谱法研究MOVPE生长的InGaN外延层和掺杂镁的GaN的组成
机译:电子显微镜研究潜在的1-eV带隙半导体化合物ZnGeas2和Zn3as2由mOVpE生长:预印。
机译:在新的Si衬底上生长高质量的ZnSe外延层的方法
机译:生长外延层的方法(超低压金属有机气相滴定法(MOVPE)生产II-VI半导体化合物的方法)
机译:在Si衬底上生长高质量ZnSe外延层的技术
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