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段树坤; 陆大成;
集成光电子学国家重点实验室中国科学院半导体研究所;
半导体材料科学实验室中国科学院半导体研究所;
DMZn源; H2Se源; MOVPE; 生长相图; 硒化锌; 发光器件;
机译:PA-MOVPE与DMZn和N 2 SUB> O生长的ZnO薄膜的生长和性能
机译:MOVPE生长的ZnSe:Sb / ZnSe:Cl异质外延LED
机译:ZnSe MBE生长的表面相图
机译:MOVPE生长的氮化镓基同轴LED的生长,加工和表征
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:ZnSe-Gaas异源性过度结构的MOVPE生长和表征
机译:用气体源分子束外延生长氮和氯掺杂Znse薄膜的氢钝化
机译:ZnSe基质,ZnSe基质的热处理方法,表观生长方法和该方法获得的薄膜
机译:基于znse熔融物进行znse晶体的生长外延的方法和设备
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