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IC制造; 65nm工艺; 300mm晶圆; 2004年; Intel; 半导体技术; 小批量生产; 技术领先; 最新技术; DRAM; 制造业; 路线图; 供应商; 全球; 进程; 节点; 业绩; 美元; 销售; 市场;
机译:FEOL工艺挑战推动了65nm及以下单晶片过渡
机译:适用于65nm及以下工艺的掩模/降低成本措施利用LSI制造商的设计数据:Dai Nippon Printing等公司于2007年底开始系统运行
机译:65nm以下CMOS技术中用于多核处理器的3D-IC性能分析
机译:65nm及以下的延迟和SI的门级建模挑战
机译:使用商业TSMC 65NM工艺设计和制造离子敏感场效应晶体管和读出电路
机译:适用于5 µm以下荫罩和10 µm以下交叉指状电极(IDE)制造中的材料的低功率多模态激光微加工
机译:金属硬质面罩采用Cu / Low k薄膜后灰和湿式清洁工艺优化并集成到65nm制造流程中
机译:plotstuff:基于以下内容绘制来自序曲的东西的类:GL(下划线)GraphicsInterface:基于OpenGL的图形界面基于:GenericGraphicsInterface:通用图形界面:用户指南,版本1.00
机译:由以下醇类生产以下Aldeidos alifaticos的方法Primarios alifaticos
机译:funktionsweiterung标准塑料(液体)瓶(装有kindersicherungsverschluss的瓶子,以下为高质量的sicherungsring和剂量尖端)(制造的配件有刻度,没有或带有剂量尖端的瓶子密封可以确保安全)
机译:用于确定纸浆celul的制造过程中的浓度物种ani u00e2nicas并控制歌剧单个操作的过程,以及用于确定选自以下物种的浓度concentra u00c7 u00e7o组ani u00e2nica由OH-,CO3 =和HS-组成,呈水溶液。
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