体内和表面复合中心对单晶硅太阳电池电学性能的影响

摘要

利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了体内和表面复合中心对产业化P型单晶硅太阳电池电学性能的影响.重点分析了当复合中心存在于太阳电池体内和表面时,电池内量子效率、暗电流及转换效率的变化特点.结果表明:对于单晶硅太阳电池,存在体复合中心临界密度(≈1×1013 cm-3)和表面复合中心临界密度(≈1×1012cm-3).当体内和表面复合中心密度分别小于其临界密度时,复合中心对太阳电池内量子效率、暗电流、短路电流密度、开路电压及转换效率的影响较小.但当体内和表面复合中心密度大于其临界密度时,随着体内和表面复合中心密度的增大,太阳电池电学性能随之显著降低.