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一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构及单晶硅太阳电池

摘要

本发明公开了一种单晶硅太阳电池背表面栅线电极结构,包括设于单晶硅片背表面的p型发射极和n型背面场,p型发射极和n型背面场相互交替分布且不相接触,还包括p型发射极主栅电极、n型背面场主栅电极、p型发射极细栅电极和n型背面场细栅电极,p型发射极细栅电极位于p型发射极上,n型背面场细栅电极位于n型背面场上,p型发射极细栅电极与p型发射极主栅电极相连接,n型背面场细栅电极与n型背面场主栅电极相连接,每个p型发射极细栅电极由多条平行均匀分布的细栅组成,多条平行均匀分布的细栅的末端通过一细栅相连,还公开了具有上述背表面栅线电极结构的背结背接触太阳电池,该电池可减少银浆使用量和背面复合,提高光电转换效率。

著录项

  • 公开/公告号CN104124287B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201410278075.6

  • 发明设计人 沈辉;姜辰明;李力;王殿磊;

    申请日2014-06-20

  • 分类号

  • 代理机构广州知友专利商标代理有限公司;

  • 代理人李海波

  • 地址 510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 09:48:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-16

    授权

    授权

  • 2014-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20140620

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    公开

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