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高巍; 殷鹏飞; 李泽宏; 张金平; 任敏;
电子科技大学 电子科学与工程学院, 四川 成都 610054;
热阻; 结温; VDMOS; ITO-220AB; 热传导; 焊锡;
机译:SiC基功率MOS器件的模塑料粘合性及其对塑料封装可靠性的影响
机译:通过嵌入封装结构降低大功率LED的芯片键合界面热阻
机译:贴片空隙对功率电子封装热阻的影响
机译:焊锡厚度对功率VDMOS器件封装热阻影响的研究
机译:钛镍银和金芯片的背面金属化可降低Quad Flat Nolead封装的热阻。
机译:随机纳米氮化钛晶粒引起的动态功率延迟的特性波动以及全能门纳米线CMOS器件和电路的纵横比效应
机译:诊断大功率氮化镓LED中p-n结-封装热阻的技术和装置
机译:微电子封装的热阻。第1部分:mIL-sTD-883的推荐方法1012(热特性)。第2部分。热测试封装和mIL-m-38510封装的分析和实验数据摘要。
机译:物理量例如力获取传感器,具有跨一个单元形成的热传导路径,因此在施加物理量的方向上,其在热传导路径上的热阻小于另一单元
机译:功率密度增加的vdmos器件的制造方法
机译:具有最小化热阻的功率模块封装的基板及其制造方法
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