Ta_2O_5薄膜沉积在Ta的可能性和可靠性

摘要

用Ta作底电极材料能够替代Ta_2O_5膜存储电容器传统的贵金属电极。所沉积的Ta_2O_5膜呈无定形,沉积在退火Ta底电极上的RTA加工(30s,O_2气氛下800m℃)膜,在100kV/cm下介电常数为41,漏电流密度为10^(-9)A/cm^2,具有良好的电性能。时间相关介质击穿特性表明沉积在退火Ta底电极上的RTA处理Ta_2O_5MIM电容器,能在应力场为1.5MV/cm下使用10年。应用Ta作电极会大幅度降低工艺复杂性和未来高密度DRAM的生产成本。