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肖特基二极管; 电流密度; 额定电流;
机译:宽沟槽刻蚀提高4H-SiC结势垒肖特基二极管的电流密度
机译:采用嵌入式 p 型 NiO 端接的 GaN 基混合沟槽 MOS 势垒肖特基二极管的仿真研究:提高正向电流密度和增强击穿电压
机译:具有几乎相同的肖特基势垒高度的1.2kV,100A,4H-SiC(0001)和(000-1)结势垒肖特基二极管的制造
机译:金/(100)砷化镓和金/硅化铂/(100)硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
机译:第二肖特基接触金属层,提高肖特基二极管性能
机译:第二肖特基接触金属层可提高GaN肖特基二极管的性能
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