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RF MEMS器件牺牲层释放工艺研究

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牺牲层释放是RF MEMS器件制造过程中的关键工序之一.本文采用多种方法进行牺牲层湿法释放对比试验,从中优选出较佳的去胶溶液及其参数、置换溶液及其参数和2种成品率较高的干燥方法:快速冷冻升华法和超临界干燥法,可使RF MEMS器件牺牲层释放成品率大于等于85％.

著录项

来源
《电子元器件与信息技术》 |2019年第1期|59-6164|共4页
作者
刘志斌; 马玉; 周拥华;
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作者单位

中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;

河北诺通人力资源开发有限公司,河北石家庄050035;

中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;

河北诺通人力资源开发有限公司,河北石家庄050035;

中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北石家庄 050081;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
RFMEMS器件; 牺牲层; 快速冷冻升华; 超临界;

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