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S.Miracle;
快捷半导体公司分立功率器件技术部 高级应用工程师;
机译:不同的栅极偏置和栅极长度对AlGaN / GaN异质结构FET的寄生源极访问电阻的影响
机译:寄生栅极电阻对三栅极FinFET CMOS反相器的影响
机译:四点栅极电阻测量方法对绝缘硅上金属氧化物半导体场效应晶体管中栅极多晶硅耗尽对沟道温度评估的影响
机译:纳米级CMOS栅极中的栅极内电阻性开路缺陷的影响
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:栅极电介质对高迁移率有机晶体管接触电阻的影响
机译:案例历史:由电阻栅极氧化物短路引起的I(sub DDQ)升高的功能IC的晶片级故障分析。
机译:栅极电阻调节装置,电源装置,栅极电阻设计装置和栅极电阻设计方法
机译:固态电路对场效应的影响称为栅极电阻
机译:LCD装置,例如壁挂式电视,具有两个电阻补偿结构,在栅极和数据链接线以及栅极和数据线中具有凹槽或孔,以补偿栅极和数据链接线的电阻值
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