ZnO纳米线在场效应晶体管中的应用专利发展综述

摘要

ZnO纳米线场效应晶体管(FET)具有很出色的性能,凭借着性能的优贽,ZnO纳米线FET很有可能替代传统的硅MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),使集成电路的尺寸朝着更小的力向发展.本文对ZnO纳米线FET的专利发展进行了一定的探讨,介绍了随着时间的推移ZnO纳米线FET在组成、结构或工艺的改进研究成果.通过对整体领域的分析,可以对专利审查和公司专利布局具有一定的借鉴作用.