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公开/公告号CN109575241B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 天津大学;
申请/专利号CN201811164537.6
发明设计人 邓云峰;高瑞横;
申请日2018-10-06
分类号C08G61/12(20060101);H01L51/30(20060101);
代理机构12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所;
代理人李素兰
地址 300350 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
入库时间 2022-08-23 11:35:27
机译: 异质结和双通道半导体器件,其在场效应晶体管中的应用,及其在负极性晶体管器件中的应用
机译: 用于制造场效应晶体管的方法,用于在场效应晶体管中制造墨水的半导体器件以及有机杂环化合物
机译: 器件半驱动器具有异质结和双通道,其在场效应晶体管中的应用及其在负跨导器件中的应用
机译:基于二甲基甲酮的交叉共轭聚合物半导体:在场效应晶体管中的合成,表征和应用
机译:在场效应晶体管中的本质上拉伸共轭聚合物半导体
机译:基于二酮吡咯并吡咯和二苯乙烯的窄带隙供体-受体共聚物:合成,表征及在场效应晶体管中的应用
机译:有前途的卤化物钙钛矿:在场效应晶体管中的应用
机译:控制沉积或有机半导体单晶及其在场效应晶体管中的应用。
机译:基于界面俘获效应的光敏柔性有机场效应晶体管及其在二维成像阵列中的应用
机译:基于C60的自组装单分子膜中电荷传输的模拟 在场效应晶体管中的应用
机译:散射参数技术在场效应晶体管表征中的应用评价