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一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用

摘要

本发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式‑2‑癸烯酸为原料制备铅前驱体,再经反应和后处理,得到一种硒化铅纳米棒,分子式为PbSe,表面配体为有机酸反式‑2‑癸烯酸,带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管,以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体,其电学性能显示双极性,在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs;空穴迁移率为1.1×10‑4 cm2/Vs。在50~297 K变温中,电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导,可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN107792839B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州大学;

    申请/专利号CN201710972823.4

  • 发明设计人 马万里;韩璐;

    申请日2017-10-18

  • 分类号C01B19/04(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/775(20060101);H01L21/34(20060101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陶海锋

  • 地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号

  • 入库时间 2022-08-23 11:30:33

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