公开/公告号CN107792839B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-29
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN201710972823.4
申请日2017-10-18
分类号C01B19/04(20060101);H01L29/24(20060101);H01L29/775(20060101);H01L21/34(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构32103 苏州创元专利商标事务所有限公司;
代理人陶海锋
地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号
入库时间 2022-08-23 11:30:33
机译: 异质结和双通道半导体器件,其在场效应晶体管中的应用,及其在负极性晶体管器件中的应用
机译: 器件半驱动器具有异质结和双通道,其在场效应晶体管中的应用及其在负跨导器件中的应用
机译: 提供一种用于调整变形的方法,该变形在场效应晶体管的晶体管通道中引起,通过该变形的方法来设置半导体材料