微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用

摘要

高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势。采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32nm/s,晶化率达58.2%。把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%。