信号反弹作用下的3D-SIC过硅通孔测试结构

摘要

三维堆叠集成电路(3D-SIC)主要采用过硅通孔(through silicon via,TSV)技术来实现电路在垂直方向上的互连,但TSV在制造过程或绑定后阶段都有可能出现失效,导致整个芯片无法正常工作。针对通过TSV绑定后的3D芯片,利用信号在导体中传输的不可逆性,在测试信号发送端施加两次不同测试激励,在其他层的测试信号接收端增加反弹模块,再利用触发器和多路选择器将两次反馈结果进行比较,实现针对TSV的测试。实验结果表明,180nm CMOS工艺下,与同类方法比较,提出的测试结构面积和测试平均功耗分别减少59.8%和18.4%,仅仅需要12个测试时钟周期。有效地证明了结构具有面积和时间开销较小,功耗较低的特性。