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薛成山; 郭永福; 石锋; 庄惠照; 刘文军;
山东师范大学半导体研究所;
氮化镓; 纳米线; 磁控溅射; 单晶; 氨化; 催化剂;
机译:表面制备和缓冲层对Si上GaN纳米线形态,电子和光学性质的影响
机译:在Si基板上制备具有AlN / GaN缓冲层的GaN基UV光电二极管的低频噪声特性
机译:非均质缓冲层上的GaN外延层:电学和光学特性
机译:使用TiN缓冲层生长GaN基绿色发光二极管的结构和光学特性
机译:探索纳米线和纳米晶体的新颖物理特性:第一部分。纳米线的光学特性和器件应用。第二部分纳米晶体的机械和摩擦学特性。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:钯的湿法加工用于南卡罗来纳州萨凡纳河西屋的氚设施。使用mound muddy Water工艺制备钯
机译:通过使用能够将GaN纳米线的垂直生长诱导为固定厚度和生长长度的Au催化剂层来生长GaN纳米线的方法
机译:形成主缓冲层和AlN缓冲层的方法,以及GaN单晶膜和GaN单晶膜的形成方法
机译:半导体纳米线的光学特性测量平台和采用相同方法的半导体纳米线的光学特性测量方法
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