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杨霏; 闫锐; 陈昊; 张有润; 彭明明; 商庆杰; 李亚丽; 张雄文; 潘宏菽; 杨克武; 蔡树军;
专用集成电路国家级重点实验室;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
碳化硅; 肖特基势垒二极管; 反向阻断电压; 反向泄漏电流; 场限环; 场板; 离子注入;
机译:Padovani-Stratton公式对4H-SiC肖特基势垒二极管反向电流-电压特性分析的有效性
机译:高纯半绝缘4H-SiC的固有缺陷对肖特基势垒二极管反向电流电压特性的影响
机译:通过热处理改善Ti / 4H-SiC肖特基势垒二极管的反向特性
机译:向内生长的堆叠故障对4H-SiC肖特基势垒二极管反向电流-电压特性的影响
机译:SiC上的肖特基势垒二极管的设计与制造。
机译:外延SiC肖特基势垒二极管的大剂量电子辐射和预期的室温自愈
机译:低压(<250 V)4H-siC p + n结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性
机译:使用倾斜离子注入的SiC肖特基势垒二极管及其制造方法
机译:SiC肖特基势垒二极管及其制造方法
机译:倾斜离子注入的SIC肖特基势垒二极管及其制造方法
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