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公延宁; 莫金玑; 夏冠群;
中国科学院上海冶金研究所;
半导体; MOVPE; 砷化镓; 薄膜; 掺碳;
机译:MOVPE使用邻近GaAs衬底生长的GaAs / AlGaAs量子阱的性质
机译:通过选择性区域MOVPE在GaAs(111)B表面上生长GaAs / AlGaAs六角形柱
机译:GaAs / AlGaAs结构的MOVPE生长过程中石英顶板上寄生生长的原位监测
机译:基于GaAs / Algaas的GaAs / Algaas的研究使用Movpe生长的基于GaAs / Algaas的量子孔红外光电探测器结构
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:三甲胺铝烷用于低压mOVpE生长alGaas基材料和器件结构。
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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