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机译:GaAs / AlGaAs结构的MOVPE生长过程中石英顶板上寄生生长的原位监测
Opto-electronic Materials Chemistry, Department of Chemistry, University of Wales, Banegor, Gwynedd LL57 2UW, UK;
A3. metalorganic vapor phase epitaxy; A3. VCSEL growth; B2. semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
机译:原位反射监测MOVPE中AlAs / GaAs结构的生长和蚀刻
机译:蓝宝石衬底上原位Ga催化AlGaAs纳米线的MOVPE生长
机译:通过MoVPE生长过程中的原位监测GaAsN量子阱的氮含量
机译:利用MOVPE技术研究原位Ga催化AlGaAs纳米结构的生长
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:GaAs-AlGaAs核-壳纳米线的生长建模
机译:在图案化的GaAs衬底上AlGaAs / GaAs和InGaP / GaAs结构的MOVPE生长
机译:三甲胺铝烷用于低压mOVpE生长alGaas基材料和器件结构。