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汪洋; 王兵冰; 黄如; 张兴;
北京大学深圳研究生院;
北京大学微电子学系;
Halo; 短沟道效应; 离子注入; 掺杂分布;
机译:Halo结构变化对22 nm栅极长度NMOS晶体管的阈值电压的影响
机译:20 nm nMOS器件中金属栅应力的结构设计和膜工艺优化
机译:45 nm NMOS器件中输入工艺参数阈值电压变化的优化
机译:HALO结构对45nm NMOS器件的阈值电压和泄漏电流的影响
机译:980 nm光纤与平板波导耦合效率的分析与优化。
机译:优化的免疫组织化学技术可改善NMO-IgG检测:与基于细胞的分析的研究比较
机译:将多准则优化和不确定性分析结合到基于模型的自主表面工艺系统工程中
机译:CMOS晶体管的NMOS低浓度漏极和PMOS HALO IC工艺
机译:用于CMOS晶体管的NMOS LDD PMOS HALO IC工艺
机译:采用优化的PMOS和NMOS晶体管器件的CMOS工艺
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