首页> 中文期刊>半导体光电 >双绝缘层MI MIS隧道结发光性能的研究

双绝缘层MI MIS隧道结发光性能的研究

     

摘要

介绍了一种新型光电器件 ,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备。根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点 ,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因 ,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号