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具有隧道式MIS发射结的异质结双极晶体管

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本发明提供了一种用于高性能异质结双极晶体管的方法和结构，该晶体管适用于化合物半导体系统(例如砷化镓(GaAs))，并且该晶体管利用了由多个金属层和多个超薄绝缘层形成的发射结。所选择的金属层具有功函数，当沉积在超薄绝缘层之上时，形成了隧道式金属－绝缘体－半导体结。该绝缘层可以由稀土氧化物(例如氧化钆(Gd

著录项

公开/公告号CN1864268A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-11-15

原文格式PDF
申请/专利权人埃皮泰克帝斯克有限公司;
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申请/专利号CN200480029064.9
发明设计人肖恩·约瑟夫·坎宁安;
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申请日2004-09-02
分类号H01L29/737;H01L21/331;
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人章社杲
地址澳大利亚新南威尔士
入库时间 2023-12-17 17:55:29

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-05-06

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2007-01-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-11-15

公开

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