机译:Au / La2O3 / N-GaN MIS结具有高k镧氧化物绝缘层的结构,化学和电性能
Sri Venkateswara Univ Dept Phys Tirupati 517502 Andhra Pradesh India;
Sri Venkateswara Univ Dept Phys Tirupati 517502 Andhra Pradesh India;
Chonbuk Natl Univ SPRC Sch Semicond &
Chem Engn Jeonju 561756 South Korea;
Chonbuk Natl Univ SPRC Sch Semicond &
Chem Engn Jeonju 561756 South Korea;
Sri Venkateswara Univ Dept Phys Tirupati 517502 Andhra Pradesh India;
Korea Basic Sci Inst Adv Nano Surface Res Grp Daejeon 305806 South Korea;
Korea Polytech Univ Dept Nanoopt Engn Shihung 429793 South Korea;
Chonbuk Natl Univ SPRC Sch Semicond &
Chem Engn Jeonju 561756 South Korea;
High-k lanthanum oxide; n-type GaN; structural and chemical properties; MIS junction; electrical properties; carrier transport mechanism;
机译:Au / La2O3 / N-GaN MIS结具有高k镧氧化物绝缘层的结构,化学和电性能
机译:高温范围内具有高k稀土氧化物中间层的Au / Pr6O11 / N-GaN MIS结构的电气和载体传输性能
机译:AU /磁铁矿(FE3O4)/ N-GaN MIS结用磁铁矿中间层的微观结构,化学和电气特性
机译:原子层沉积的氧化铝和镧锆氧化物高k电介质堆的电学特性
机译:镧基氧化物的原子层沉积,用于高K栅极电介质应用。
机译:通过插入La2O3钝化层改善高k / Ge MIS结构的界面性质
机译:退火对由化学浴沉积沉积的Au-铜氧化物膜的结构,光学和电性能的作用
机译:稀土氧化物Ⅲ。氧化钇(Y2O3),氧化镧(La2O3)和氧化钕(Nd2O3)在16~300°K的热容量