公开/公告号CN100517747C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-07-22
原文格式PDF
申请/专利权人 IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司;
申请/专利号CN200410085542.X
申请日2004-10-15
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;
代理人项丹
地址 比利时勒芬
入库时间 2022-08-23 09:02:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-06-30
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20100519 申请日:20041015
专利申请权、专利权的转移
2009-07-22
授权
授权
2006-12-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-04-27
公开
公开
机译: 形成用于高级MIS半导体器件的带槽栅绝缘子的方法及由此获得的器件
机译: 形成用于高级MIS半导体器件的切口式栅极绝缘体的方法和由此获得的器件
机译: 形成用于高级MIS半导体器件的切口式栅极绝缘体的方法和由此获得的器件