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徐静平; 张洪强; 陈娟娟; 张雪锋;
华中科技大学电子科学与技术系;
金属-氧化物-半导体; 高k栅介质; HfTaON; 氮氧化铝; 氮化;
机译:界面层对栅电介质Al_2O_3 / TiO_2 / Al_2O_3薄膜电学特性的影响
机译:HfSi_xO_y界面层效应对改善超薄高K TiO_2栅介质的电特性的影响
机译:沉积后退火对富HHfSiO_x栅介质的n-GaN MOS电容器特性的影响
机译:含ALD氧化锆的最佳掺杂的哈菲娜栅介质的MOS晶体管栅叠层材料性能和可靠性特性的比较研究
机译:MOS器件中其他高κ电介质的电荷俘获特性。
机译:不同培养介质对Dunaliella Salina的生理特性和实验室规模生产成本的影响
机译:不同几何形状介质中高能电子栅场的数值模拟。最终报告,1979年6月1日至1980年5月15日
机译:包括两个构件的安装结构,所述两个构件通过具有第一界面层和第二界面层的结合材料层彼此结合
机译:具有布置在变形硅MOS器件空栅电介质上的栅电极的栅叠层
机译:基于第一原理的MOS器件薄栅氧化膜隧穿特性的MOS分析方法
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