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刘红兵; 陈娟娟;
湖南铁道职业技术学院电气工程系;
锗金属-氧化物-半导体; 氧化镧; 高k栅介质; 淀积后退火;
机译:La_2O_3栅介质在不同环境下退火的Ge金属氧化物半导体电容器的电性能
机译:La_2o_3和Zro_2 / la_2o_3作为栅介质的P型Ge上的金属氧化物半导体器件及后金属化退火的影响
机译:退火环境对带有Pt栅电极和HfO_2栅介质的Ge金属氧化物半导体电容器的结构和电性能的影响
机译:退火气体对以HfTiON为栅介质的Ge MOS电容器电性能和可靠性的影响
机译:用于薄膜电容器的聚合物样氢化碳的合成及双不同电介质对高能密度应用电容器电性能的影响
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:双相退火Ti-8aL-1mO-1V和磨机退火Ti-6aL-4V在空气和腐蚀环境中的动态亚临界裂纹扩展特性。
机译:在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法在减小金属间电介质的寄生电容的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法降低金属间介电层的寄生电容的同时降低特性,同时减小p的同时改善接触孔填充特性的半导体器件的制造方法
机译:用于检测介电特性的传感器的带涂层电极-与流体,气体形式和/或可倾倒的介质一起使用,并包括形成电容器的外导体和内导体,所述导体被封装在例如玻璃中。介电塑料层
机译:MOS晶体管中栅氧化电容特性的测量方法
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