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查冬;
西安电子科技大学;
高K介质; 锗村底; 金属栅电极; 界面态密度; MOS电容; 表面钝化;
机译:高k栅介质上数据提取的累积层电容特性
机译:用于有机-无机薄膜晶体管栅介质的高k有机-无机薄膜的制备研究
机译:电子束蒸发制备HfSiO薄膜用于高k栅介质的研究
机译:高k栅介质的Ge MOS电容器的栅漏模型
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:高κ栅介质的最终定标:高κ或界面层清除?
机译:用于CmOs缩放的原子层沉积:si,Ge和III-V半导体上的高k栅介质
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:高k栅介质/金属栅的栅堆叠结构刻蚀后去除聚合物的方法
机译:高压氢气氛中通过退火制备高K栅介质的方法
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