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余山; 章定康; 黄敞;
骊山微电子学研究所;
MOSFET; LDD; MOS器件; 场效应器件;
机译:单晶片清洁工艺在轻掺杂漏极(LDD)期间产生的静电荷导致的损坏
机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:单晶片清洁工艺在轻掺杂的漏极(LDD)期间静态电荷引起的损坏
机译:MOS晶体管的深亚微米漏极电流和电荷模型。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构
机译:基于轻掺杂漏极(LDD)结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管的制造工艺
机译:控制轻掺杂漏极(LDD)结构中栅极/漏极重叠长度的工艺
机译:轻掺杂漏极金属氧化物半导体(LDD MOS)器件的形成方法
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