100mm GaAs PHEMT外延材料生长稳定性控制研究

摘要

研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平。