电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿

摘要

电子束刻蚀后,通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量,并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致,这一现象被称为“邻近效应”。利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验。加工过程中加速电压为5～30kV,衬底基片为硅和PMMA,使校正后邻近效应参量η减少30％。给出实际完成基片图。